0.18μm CMOS射频低噪声放大器设计

基于TSMC 0.18μm RFCMOS工艺，设计了一种工作于2.4 GHz频段的低噪声放大器。电路采用Cascode结构，为整个电路提供较高的增益，然后进行了阻抗匹配和噪声系数的性能分析，最后利用ADS2009对其进行了模拟优化。最后仿真结果显示。该放大器的正向功率增益为14 dB，噪声系数小于2 dB，1 dB压缩点为-13 dBm，功耗为7.8 mW，具有良好的综合性能指标。