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（Si,Er）双注入热氧化硅的光致发光
2002
采用强流金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注入机,先将Si大束流注入热氧化SiO2/单晶硅,直接形成镶嵌在SiO2中的纳米晶Si,再小束流注入Er.Er离子在掺杂层中的浓度可达1021 cm-3量级,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3+浓度.在77 K和室温下,观察到了Er3+的1.54 μm特征发射.
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