Method and apparatus for detecting mechanical defects of a semiconductor device, in particular a solar cell or solar cell arrangement

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Detektion von Defekten in einem Halbleiter-Bauelement (10), insbesondere einer Solarzelle oder Solarzellen-Anordnung, mit zumindest einem pn-Ubergang (22) in einer Halbleiterschicht eines Halbleitermaterials (16) mit indirektem Bandubergang, wobei - an den zumindest einen pn-Ubergang (22) eine Spannung (23) zum Betrieb des pn-Ubergangs (22) in Durchlassrichtung angelegt wird (70), - das durch die angelegte Spannung (23) erzeugte Strahlungsverhalten der Halbleiterschicht zumindest fur Teilbereiche der Halbleiterschicht optisch erfasst (74) und automatisch auf im Wesentlichen eindimensionale Intensitatsanderungen untersucht wird (76), um mechanische Defekte zu detektieren.