[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线在巨磁电阻位移传感器中的应用

采用双槽电沉积法制备了巨磁电阻（Giant Magnetorsistance;GMR）材料[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线阵列,并以其为磁传感器芯片,设计并制备了GMR位移传感器,在不同温度下测试了其灵敏度.研究表明,该GMR 位移传感器的输出电压与位移具有较好的线性关系,在10-40℃环境温度内具有良好的稳定性.与[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层膜作传感器芯片相比,以[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线作为芯片时传感器灵敏度更高.