Abrupt interfaces with novel structural and electronic properties: metal-cluster deposition and metal-semiconductor junctions

La methode de preparation de jonctions metal-semiconducteur implique la condensation d'une fine couche tampon de Xe, sur les surfaces liees, pour isoler le semiconducteur des atomes metalliques incidents. On obtient une interface non perturbee, presque ideale. Analyse de sa structure electronique par emission photoelectronique