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Transistor à haute mobilité d'électrons à base de nitrure de groupe III avec couche d'espaceur/barrière
Transistor à haute mobilité d'électrons à base de nitrure de groupe III avec couche d'espaceur/barrière
2002
Ioulia P. Smorchkova
Wladyslaw Walukiewicz
P. Chavarkar
Yifeng Wu
Stacia Keller
Umesh K. Mishra
Keywords:
Condensed matter physics
Transistor
Electron
Materials science
Atomic physics
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