Integrierte Halbleiteranordnung für eine Bauelementstruktur mit kleinen Abmessungen und zugehöriges Herstellungsvefahren

Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterenordnung fur eine Bauelementstrucktur mit kleinem seitli- c h en Basis-Emitterabstand sowie entsprechend aufgebaute Treasistorstrudctur. In einem Silicium-Halbleiterkorper werden gegeneinander durch dielektrische Gebiete (22) isolierte Halbkiterbereiche abgegrenzt, in denen durch entsprechende Dotierungsschritte Transistorstruckturen mit Basis-, Emitterund Kollektoranschlusgebieten (26, 36, 38) vorgesehen werden. Ein kleiner Basis-Emitterabstand wird dadurch erzielt, das als Kontaktbereich (40) zum Basisgebiet (26) ein den Emitterkontakt (44) umschliesendes dotiertes polykristallines Siliciumgebiet auf der Haibteiteroberflache vorgesehen wird. Eine weitere Flachenreduzierung ergibt sich daraus, das das Basisgebiet (26) seitlich unmittelbar von dielektrischen Isolationsgebieten (22, 20) begrenzt wird.