A transient capacitance study of radiation-induced defects in aluminum-doped silicon

Diodes are fabricated from aluminum-doped Czochralski-grown silicon, are electron irradiated at room temperature, and are studied using the DLTS technique. The divacancy, the carbon interstitial, and the carbon–oxygen–vacancy complex, all previously observed in boron-doped Cz silicon, are observed as well as several defects unique to aluminum-doped silicon. The results are quite different from those reported for aluminum-doped float zone silicon, however. Dioden, hergestellt aus mit Aluminium-dotiertem Czochralski-Silizium, werden bei Zimmertemperatur mit Elektronen bestrahlt und dann mit DLTS gemessen. Sowohl die Doppelleerstelle, Zwischengitter-Kohlenstoff und der Kohlenstoff–Sauerstoff–Leerstellen-Komplex, die schon fruher in mit Bor dotiertem Czochralski-Silizium gefunden worden waren, als auch einige neue Fehlstellen, die spezifisch fur mit Aluminium dotiertes Silizium sind, werden nachgewiesen. Die Ergebnisse sind allerdings recht verschieden von den Ergebnissen fur mit Aluminium dotiertes zonengeschmolzenes Silizium.