MÉTHODE DU PIÉGEAGE SELECTIF. ÉTUDE DES DÉFAUTS ET DE LA DIFFUSION

Lors d'une irradiation ou d'une implantation creant des deplacements atomiques, les interstitiels et les lacunes sont evidemment crees en nombres egaux, d'ou une grande difficulte a separer les effets provenant de l'un ou de l'autre type de defauts. A part la resonance paramagnetique electronique (RPE), aucune methode ne permet de preciser la nature du defaut (interstitiel ou lacune). La RPE ne permet pas de detecter les defauts qui ne possedent pas un electron celibataire. Or, nous avons montre que la reponse d'un semi-conducteur a une irradiation etait tres souvent dominee par la nature et la concentration d'impuretes electriquement neutres comme le carbone ou l'oxygene. Nous avons donc imagine et developpe une methode qui permet de mesurer de facon quantitative l'interaction defaut-impurete. La nature du defaut (interstitiel ou lacune) est determinee de facon certaine grâce au piegeage selectif des lacunes sur des impuretes convenablement choisies. En effet, la concentration de lacunes susceptibles d'interagir avec d'autres impuretes dans de tels echantillons est beaucoup plus faible que celle creee dans des echantillons ne contenant pas de piege selectif. Cette methode nous a permis de faire en particulier un tableau complet de l'interaction des defauts simples avec les impuretes electriquement neutres dans le silicium (oxygene, carbone, etain, germanium). Nous montrons sur deux exemples (paire silicium interstitiel-carbone et paire silicium interstitiel-oxygene) la clarte des informations que l'on peut obtenir en utilisant cette methode. Le champ d'application de la methode est tres vaste. Nous indiquons ce qu'elle peut apporter dans l'explication des phenomenes de diffusion en particulier.