利用STM观察Si(100)微斜面的表面结构

1994 
本文利用超高真空STM和LEED装置观察了错切角为0.5°和4.5°的Si(100)微斜面的原子结构,观察到错切角为0.5°时STM像为单原子高度台阶表面结构,错切角为4.5°时STM像为双原子高度台阶结构。
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