Procede de croissance a partir d'un germe pour la preparation de monocristaux de nitrure d'aluminium

L'invention concerne une methode de croissance de monocristaux bruts d'AIN a partir d'un germe unique de cristal, une matiere brute d'AIN etant placee dans un creuset en presence d'un germe fixe par fusion au couvercle du creuset. Le creuset est chauffe de maniere suffisante pour qu'un gradient de temperature soit etabli entre la matiere brute et le germe, le germe etant a une temperature plus elevee que la matiere brute, de facon a ce que la couche exterieure du germe soit evaporee, ce qui nettoie le germe des contaminants et elimine les dommages causes au germe durant sa preparation. Par la suite, le gradient de temperature entre la matiere brute et le germe est inverse, de facon a ce que la matiere brute soit sublimee et deposee sur le germe, un monocristal brut d'AIN etant ainsi tire.