Dispositif d'imagerie à semiconducteurs

L'invention concerne un dispositif d'imagerie a semiconducteurs multi-acces, comportant une region d'imagerie et une pluralite de modules. La region d'imagerie comprend une pluralite de lignes de pixels. La pluralite de modules sont agences selon la meme direction que la pluralite de lignes de pixels et generent un signal en fonction de la charge electrique provenant de la region d'imagerie. Chacun des modules est dote d'un registre de sortie, d'un registre multiplicateur et d'un amplificateur. Les registres de sortie transferent les charges electriques d'au moins une ligne de pixels correspondante. Les registres multiplicateurs generent les charges electriques multipliees a partir des charges electriques provenant des registres de sortie. Les amplificateurs generent un signal a partir des charges electriques multipliees provenant des registres multiplicateurs. Le dispositif d'imagerie a semiconducteurs comprend une region contenant la pluralite de modules, et une premiere region fictive et une deuxieme region fictive situees de part et d'autre de cette region dans la direction susmentionnee. Les premiere et deuxieme regions fictives sont chacune dotees d'un registre multiplicateur et d'un amplificateur.