Diode de puissance sic-pn

L'invention concerne une diode de puissance SiC-PN verticale integree comprenant un corps semi-conducteur SiC fortement dope d'un premier type de conductivite, qui comporte une zone de derive faiblement dopee du premier type de conductivite laquelle est disposee sur le corps semi-conducteur cote emetteur, une zone d'emission d'un deuxieme type de conductivite laquelle est disposee sur la zone de derive, et au moins une couche intermediaire mince du premier type de conductivite laquelle est disposee dans la zone de derive, presente une concentration de dopage superieure a celle de la zone de derive, et divise cette zone de derive en au moins une premiere couche de zone de derive cote anode, et en au moins une deuxieme couche de zone de derive cote cathode. La presente invention se rapporte en outre a un circuit comportant ce type de diodes de puissance SiC-PN.