CdS x Te 1-x 多晶薄膜的制备与性质研究

采用真空共蒸发方法制备了CdSx x Te1-x 1-x 多晶薄膜，并用原子 力显微镜、x射线衍射和光学透过率谱等研究了CdSx x Te1-x 1-x 多晶薄膜的结构 和性质.结果 表明：薄膜均匀、致密、无微孔，当x≥05时为n型半导体，x x Te1-x 1-x 多晶薄膜的光学能隙随x变化.结合薄膜的晶格 常数和光学能隙得到了薄膜发生相变的组分，当x<025