Vorrichtung zur Herstellung eines SiC-Einkristalls mit einem doppelwandigen Tiegel

Die Vorrichtung zur Herstellung eines SiC-Einkristalls (32) umfast einen doppelwandigen Tiegel (10) mit einer zwischen einer inneren Tiegelwand (14) und einer auseren Tiegelwand (15) angeordneten thermischen Homogenisierungszone (19) und mit einer Tiegelinnenzone (11). Innerhalb dieser befinden sich ein Vorratsbereich (12) fur einen Vorrat aus festem SiC (30) und ein Kristallbereich (13), in dem der SiC-Einkristall (32) auf einen SiC-Keimkristall (31) aufwachst. Auserhalb des Tiegels (10) ist eine induktive Heizeinrichtung (16) angeordnet. In der Homogenisierungszone (19) werden durch Spulenwicklungen (161) der induktiven Heizeinrichtung (16) erzeugte Inhomogenitaten einer Temperaturverteilung ausgeglichen.