Dinâmica em femtossegundos de portadores fotoexcitados na liga AlxGa1-xAs

Estudamos a dinâmica de portadores em escala de tempo de femtossegundos em filmes de AlxGa1-xAs para composicoes de Al nas quais a liga se encontra proxima a transicao gap direto-gap indireto. A tecnica utilizada foi a espectros copia de excitacao e prova, na qual o pulso de teste se trata de um continuo cujo espectro cobre o gap das ligas estudadas e possui tipicamente 30 fs de duracao. A transmissao diferencial para altas densidades de portadores fotoinjetados na banda de conducao adquire consideravel complexidade e resulta de um delicado equilibrio entre o enchimento de estados na banda e efeitos de blindagem e muitos- corpos tais como blindagem pelo plasma foto excitado e renormalizacao do gap. Nos observamos urna correlacao entre a dinâmica dos portadores na banda de conducao ( dinâmica intrabanda ) e a renormalizacao do gap da liga. Esta correlacao relaciona-se a dinâmica ultra-rapida de redistribuicao de portadores fotoexcitados entre os vales G, X e L da banda de conducao Abstract