FTO/SiO2复合薄膜的制备及电阻（英文）

采用溶胶-凝胶法制备了FTO/SiO2复合薄膜。使用扫描电镜、X射线衍射仪、厄氏粘度计和表面四点探针等手段,研究了乙醇与正硅酸乙酯比例、水与正硅酸乙酯比例、掺杂F、薄膜的厚度、热处理温度、溶胶黏度、薄膜表面形貌、组织结构和电阻等制备参数和性能特征。适合于制备FTO/SiO2复合薄膜的SiO2溶胶最佳的参数为EtOH/TEOS/H2O为4/2/1,pH为3。加热会导致薄膜产生裂纹,加热速度控制在0.25℃/min时,薄膜表面完好。掺杂F可以明显地改善薄膜的导电性,随F的掺杂浓度增加,电阻明显减小,最佳的F掺杂浓度为5mol%。在500℃以下,随热处理温度的提高,膜的导电性增加。导电性也随薄膜厚度的增加而增加。当F掺杂浓度为5mol%,薄膜厚度为1+3层溶胶,热处理温度为500℃时,FTO/SiO2薄膜的方块电阻为270?/□。