Effect of total dose memory cell circuit
2013
本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路,全部由PMOS管构成,包括:第一、第二PMOS管,第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管;第一、第二PMOS管为上拉管,第三、第四PMOS管为读出访问管,第五、第六PMOS管为写入访问管。 本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固,具有较小的存储单元面积,可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。
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