Dispositifs mosfet à haute tension et leur procédé de fabrication

L'invention concerne un dispositif MOSFET en SiC possedant une faible resistance specifique a l'etat passant. Les dispositif possede des regions de puits N+, de puits P- et JFET s'etendant dans une direction (direction en Y) et des contacts P+ et source s'etendant dans la direction orthogonale (direction en X). La grille en polysilicium du dispositif recouvre la region JFET et finit au-dessus de la region de puits P- afin de rendre minimal le champ electrique au bord de la grille en polysilicium. En utilisation, le courant circule verticalement depuis le contact de drain au bas de la structure, dans la region JFET, puis lateralement dans la direction en X a travers la region d'accumulation et a travers les canaux MOSFET dans la region N+ adjacente. Le courant circulant sortant du canal circule ensuite le long de la region N+ dans la direction en Y puis est collecte par les contacts source et le metal final. L'invention porte egalement sur des procedes de fabrication du dispositif.