La1-xPrxMnO3（x=0.1，0.2）薄膜庞磁电阻性质的研究

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3（x=0．1，0．2）薄膜用脉冲激光沉积（PLD）方法生长在（100）SrTiO3单晶基底上．XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向．电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应（CMR）效应，其中磁电阻比率达95％（在5T的磁场下）．X射线光电子能谱（XPS）的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为＋4价，因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系．