Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinkristalls

Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinkristalls, umfassend das Drehen eines Quarzschmelztiegels (13) zum Aufbewahren einer Siliciumschmelze (12) mit einer vorbestimmten Drehgeschwindigkeit, Drehen eines Siliciumeinkristallstabs (25), welcher aus der Siliciumschmelze (12) in Gegenrichtung zu der Drehung des Quarzschmelztiegels (13) mit einer vorbestimmten Drehgeschwindigkeit gezogen wird, und Ziehen des Siliciumeinkristallstabs (25) mit einer solchen Ziehgeschwindigkeit, dass ein Inneres des Siliciumeinkristallstabs (25) zu einem fehlerfreien Bereich wird, in welchem Agglomerate von Siliciumzwischenraumpunktfehlern und Agglomerate von Gitterluckenfehlern nicht vorliegen, wobei wahrend des Ziehens eines oberen Stabteils (25a) des Siliciumeinkristallstabs (25), in welchem die Verfestigungsgeschwindigkeit 0,15 bis 0,30 betragt, die mittlere Drehgeschwindigkeit SR TAV des Siliciumeinkristallstabs (25) so eingestellt ist, dass sie im Bereich von 18 bis 20 UpM liegt, und die mittlere Drehgeschwindigkeit CR TAV des Quarzschmelztiegels (13) so eingestellt ist, dass sie im Bereich von 6 bis 8 UpM liegt, wobei die Verfestigungsgeschwindigkeit die Rate des Gewichts des gezogenen Stabs (25) zu dem anfanglichen...