X射线吸收谱对Ga 0.946 Mn 0.054 As薄膜中缺陷的研究

采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga 0.946 Mn 0.054 As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga 0.946 Mn 0.054 As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(Mn I )和As反位原子(As Ga ).实验结果表明,在较低生长温度( T S =200℃)下Ga 0.946 Mn 0.054