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異なるAI濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位 (シリコン材料・デバイス)
異なるAI濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位 (シリコン材料・デバイス)
2014
hiroki nakane
seisi katou
masaya itimura
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