Procede pour obtenir une meilleure uniformite de gravure et reduire la variation de la vitesse de gravure au polysilicium

L'invention porte sur un procede et un appareil permettant de traiter de maniere consecutive une serie de substrats semi-conducteurs avec une variation minimale de la vitesse de gravure au plasma apres le nettoyage au gaz fluore et/ou la mise en condition de la chambre de gravure au plasma. Ce procede consiste a : (a)placer un substrat semi-conducteur sur un support dans une chambre de gravure au plasma, (b) maintenir un vide dans la chambre, (c) attaquer une surface exposee du substrat en envoyant un gaz dans la chambre et en excitant le gaz de facon a generer un plasma dans la chambre, (d) retirer le substrat de la chambre et (e) attaquer de maniere consecutive des substrats additionnels dans la chambre en repetant les etapes (a a d). On realise ainsi l'etape de gravure en minimisant une vitesse de recombinaison de H et Br sur le pourtour annulaire en carbure de silicium du substrat a une vitesse suffisante afin de compenser la vitesse a laquelle le Br se consume dans le substrat. Ce procede peut etre realiser avec du HBr pur ou avec une combinaison de HBr et d'autres gaz.