Procede de depot discontinu destine au depot selectif de films contenant du si

L'invention concerne un procede de formation selective d'un film contenant du Si sur un substrat dans un procede de depot discontinu. Le procede consiste a fournir un substrat contenant une surface de croissance et une surface de non croissance, et a former de facon selective le film contenant du Si sur la surface de croissance par exposition du substrat a un gaz HX, tout en exposant simultanement le substrat a une impulsion de gaz silane chlore. Le film contenant du Si peut consister en un film de Si ou un film de SiGe forme de maniere selective sur une surface de croissance Si ou SiGe et non sur une surface de non croissance d'oxyde, de nitrure ou d'oxynitrure.