24aCD-7 ナノワイヤー結晶から成長したGaAs/Siヘテロエピタキシャル半導体薄膜における歪緩和機構(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

2012 
    • Correction
    • Source
    • Cite
    • Save
    • Machine Reading By IdeaReader
    0
    References
    0
    Citations
    NaN
    KQI
    []