Fabrication d'une couverture formant barrière de diffusion sur des éléments conducteurs contenant du cuivre

L'invention concerne un procede de fabrication de couvertures formant barriere de diffusion auto-alignees sur un element conducteur contenant du cuivre, dans un circuit integre. Le procede consiste : a fournir un substrat dans lequel un element conducteur en cuivre est incorpore lateralement dans une couche dielectrique et possede une surface exposee ; deposer une couche metallique sur la surface exposee de l'element conducteur ; induire la diffusion du metal de la couche metallique dans une partie superieure de l'element conducteur ; eliminer le reste de la couche metallique ; laisser reagir le metal ayant diffuse dans la partie superieure de l'element conducteur avec les particules d'un second constituant, pour construire un compose recouvrant l'element conducteur. Le metal de la couche metallique et le second constituant sont choisis de maniere a ce que le compose forme une barriere de diffusion contre la diffusion du cuivre. On peut ainsi diminuer la constante dielectrique du materiau dielectrique dans un empilement interconnecte de circuits integres.