MgO界面层对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED光电性能的影响

为了较好地实现n-ZnO的电致发光（EL），利用水热法在p-GaN外延片上制备了ZnO纳米棒阵列，构造了n-ZnO纳米棒／p-GaN异质结LED原型器件，并研究了MgO界面层对器件光电性能的影响。结果表明，n-ZnO纳米棒／p-GaN异质结器件具有明显的二极管整流效应。室温、正向偏压下，n-zno纳米棒／p-GaN异质结LED仅在430nm附近具有单一的发光峰，而n-ZnO纳米棒／MgO／p-GaN异质结LED的电致发光光谱由一个从近紫外到蓝绿光区的宽发光带组成。结合光致发光（PL）谱和Anderson能带模型，深入分析了n-ZnO纳米棒／p-GaN异质结的载流子复合机制。