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Acemap > Paper > 19pXB-1 Si中のCuゲッタリングサイトの陽電子消滅(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

19pXB-1 Si中のCuゲッタリングサイトの陽電子消滅(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

2007 
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