パッケージのバンプ下冶金（ｕｂｍ）構造及びそれを製造する方法

【課題】半導体パッケージにおけるバンプ下冶金（ＵＢＭ）構造に関して錫浸潤を防止するＵＢＭ手法を提供する。 【解決手段】半導体集積回路ダイのためのパッケージは、ダイの結合パッドに電気的に接続した第１の障壁層の上に形成された再分配層を含む。第２の障壁層が、再分配層の上に形成される。多重金属層が、半田ボールとの結合のために第２の障壁層の上に形成され、多重金属層は、半田ボールから再分配層への錫浸潤を防止するために第２の誘電体層の上部を覆って第２の開口部の外側に延びる延長部を有する。 【選択図】図３