Corner Undercutting in Anisotropically Etched Isolation Contours
1984
L'erosion sous la surface aux coins des structures en mesa dans la reaction d'attaque anisotrope du silicium (100) par la solution aqueuse d'ethylenediamine a 85°C est graduelle pour les facettes en biseau saillantes sur les plans {212} et se termine en petites corniches sur les plans {323}. En considerant que l'erosion sous la surface produit un biseau sur les plans {212}, on calcule les relations pour la compensation des coins par des masques de forme differente. On montre qu'avec un bord de masque incline par rapport au plan de la pastille, la face laterale de la mesa est formee par un plan lateral strie parallele au bord du masque et coupant asymetriquement les plans en biseau du coin. Conditions d'obtention de traces laterales rectilignes sur la surface (100)
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