X射线吸收谱对Ga0.946Mn0.054As薄膜中缺陷的研究

采用低温分子束外延法（LT-MBE）制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体（DMS）薄膜.通过X射线吸收谱（XAS）研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子（MnI）和As反位原子（AsGa）.实验结果表明,在较低生长温度（TS=200℃）下Ga0.946Mn0.054As晶格中缺陷分布以As反位原子（AsGa）为主;较高生长温度（TS〉230℃）时样品中主要缺陷是Mn间隙（MnI）原子.同时,在较高低温退火温度（250℃）下可以使样品内部MnI向表面大量析出,减少反铁磁相,达到最高居里温度（130K）.XAS结果还表明,退火可以使得表面的AsGa缺陷脱附,驱动周围的MnI原子填补AsGa缺陷留下的空位,提高MnGa原子浓度.