Semiconductor devices and semiconductor processing methods

Verschiedene Ausfuhrungsformen stellen eine Halbleitervorrichtung (310) bereit, die eine letzte Metallschicht (312), die eine Oberseite (328) und wenigstens eine Seitenwand (322) besitzt; und eine Passivierungsschicht (313), die wenigstens uber einem Teil der Oberseite (328) und/oder der wenigstens einen Seitenwand (322) der letzten Metallschicht (312) angeordnet ist, aufweist; wobei die Passivierungsschicht (313) eine im Wesentlichen gleichmasige Dicke besitzt.