Mémoire non volatile 3d à interconnexion en siliciure métallique

L'invention concerne un empilement de reseau de cellules de memoire non volatile comprenant des zones de cellules (CA3,4) comportant des rangees de colonnes verticales de cellules NON-ET et une zone d'interconnexion (IA1), situee par ex. au milieu du reseau et s'etendant dans une longueur dudit reseau. La zone d'interconnexion comprend au moins une interconnexion en siliciure metallique (I1, I2) s'etendant entre des fentes remplies d'isolant (S5, S6, S7) et ne presente pas de colonne verticale de cellules NON-ET. L'interconnexion en siliciure metallique peut acheminer des signaux d'alimentation et de commande depuis le dessous de l'empilement jusqu'au-dessus dudit empilement. L'interconnexion en siliciure metallique peut egalement etre realisee dans une zone peripherique du substrat. Des structures de contact peuvent s'etendre depuis une partie etagee de l'interconnexion en direction d'au moins une couche metallique superieure, au-dessus de l'empilement, de maniere a parachever un trajet conducteur allant de la circuiterie en dessous de l'empilement jusqu'a la couche metallique superieure. Des sous-reseaux peuvent etre prevus dans un plan du reseau sans zone de raccordement de canal mot ou de zone de transfert entre lesdits sous-reseaux.