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ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))
ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))
2015
bin syu kin
yuuki wakabayasi
ryou masa nakane
seisi yokoyama
juu takenaka
sin'iti takagi
Keywords:
Artificial intelligence
Computer science
Machine learning
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