Procédé de fabrication de tranche soi

La presente invention concerne un procede de fabrication d'une tranche SOI en formant une couche a implantation ionique en implantant des ions gazeux a partir de la surface d'une tranche de liaison, en liant la surface de tranche de liaison dans laquelle les ions sont implantes et la surface d'une tranche de base avec un film isolant entre celles-ci, et en separant la tranche de liaison au niveau de la couche a implantation ionique. Le procede comporte une etape qui consiste a graver le film isolant positionne entre la tranche de liaison et la tranche de base du bord circonferentiel exterieur de la tranche liee au centre, en immergeant la tranche liee dans un liquide dans lequel le film isolant peut se dissoudre ou en exposant la tranche liee a un gaz dans lequel le film isolant peut se dissoudre, avant de separer la tranche de liaison au niveau de la couche a implantation ionique. Ainsi, la largeur d'une terrasse, qui est produite lors d'une separation par l'intermediaire de procedes de separation a implantation ionique, peut etre commandee, et un ilot SOI, qui est produit sur une section terrasse et entraine une deterioration de rendement, peut etre elimine.