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HEMT AlInAs/InGaAs pseudomorphique sur substrat d'InP de longueur de grille de 30nm et de Ft = 450GHz
HEMT AlInAs/InGaAs pseudomorphique sur substrat d'InP de longueur de grille de 30nm et de Ft = 450GHz
2007
N. Wichmann
A. Shchepetov
I. Duszynski
Y. Roelens
X. Wallart
G. Dambrine
A. Cappy
S. Bollaert
Keywords:
Analytical chemistry
High-electron-mobility transistor
Chemistry
Materials science
Optoelectronics
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