Dispositifs et technologie silicium sur isolant totalement déserté (FD-SOI)

La recente technologie Fully Depleted SOI (FD-SOI) est le prolongement naturel du SOI pour realiser des circuits integres a forte densite, haute frequence et basse consommation. En raison de leurs dimensions nanometriques, aussi bien en epaisseur qu’en longueur, les transistors FD-SOI presentent des mecanismes de fonctionnement et des caracteristiques tres specifiques. L’etat de l’art du FD-SOI est decrit en insistant sur les atouts des composants, les effets physiques particuliers et les techniques de caracterisations dediees. Des exemples de dispositifs innovants concus en filiere FD-SOI sont discutes.