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低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
2014
susumu yosimoto
kuni akira isihara
masaya okada
waei sumiyosi
hidenori heiya
si ten mituhasi
yuusuke zen seki
takasi isizuka
makoto kiyama
masaki ueno
Keywords:
Schottky barrier
Condensed matter physics
Metal–semiconductor junction
Schottky diode
Materials science
Optoelectronics
heterojunction field effect transistor
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