Element de changement de resistance, sa methode de fabrication, memoire contenant cet element, et methode de commande de cette memoire

L'invention concerne un element de changement de resistance permettant d'abaisser la tension de commande d'un RRAM, notamment une memoire a haut debit presentant une faible consommation d'energie, et permettant de supprimer des irregularites de largeur d'impulsion electrique pour effectuer le meme changement de resistance. L'element de changement de resistance comprend une premiere electrode, une couche formee sur la premiere electrode et presentant une resistance changee par une application d'impulsion electrique, et une seconde electrode formee sur cette couche. La couche presente une structure en perovskite. Cette couche presente au moins une partie concave et une partie convexe, a la limite d'au moins une electrode, la premiere ou la seconde.