掺SrLi1/4Nb3/4O3的SrTiO3缺陷化学研究
1999
利用H2/H2O体系获得不同的氧分压,上电极法 掺杂SrLi1/4Nb3/4O3的SrTiO3瓷体在800-1200℃,Po2=10^17-10^5Pa的电导率。通过logPo2-logσ图,计算出半导化活化焓约为287.7kJ/mol,讨论了SrLi1/4Nb3/4O3掺杂的SrTiO3在不同氧分压区域的主n型半导体化向p型半导化转变的特点。
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