PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi

Yaptigimiz bu deneysel calismada; SiOx yapi icerisinde olusturulmus Ge ve SiGe nanokristalleinin optiksel ve elektriksel ozelliklerini TEM, Raman ve Fotoisima spekroskopileri teknikleri yardimiyla arastirdik. SiOx yapi icerisindeki Ge nanokristaller farkli tavlama surelerinde Plazma ile hizlandirilmis kimyasal buharlatirma teknigi (PECVD yardimiyla olusturuldu. Calismamizin amaci SiOx yapi icerisindeki Ge ve SiGe nanokristallerin boyut ve boyut dagilimlarini tavlama surecine bagli olarak arastirmaktir. TEM, Raman ve Fotoisima olcumleri yardimiyla nanokristallerin karakteri