Composition de film semi-conducteur, procédé de fabrication de composition de film semi-conducteur, procédé de fabrication d'élément semi-conducteur, procédé de fabrication de matériau de traitement pour semi-conducteur, et dispositif à semi-conducteur

L'invention concerne une composition de film semi-conducteur, contenant : un compose (A) ayant une liaison Si-O et un groupe fonctionnel cationique comprenant un atome d'azote primaire et/ou un atome d'azote secondaire ; un agent de reticulation (B) ayant une masse moleculaire moyenne en poids de 200 a 600 et ayant trois groupes -C(=O)OX ou plus (ou X est un atome d'hydrogene ou un groupe alkyle en C1 a C6) dans la molecule, un a six des trois groupes -C(=O)OX ou plus etant un groupe -C(=O)OH ; et un solvant polaire (D).