硼掺杂量对P型a—Si：H膜微结构和光／电学性能的影响

采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同硼掺杂比的 P 型 a-Si：H 系列薄膜。研究了硼掺杂比对 P 型 a-Si：H 薄膜微结构和光/电学性能的影响；同时，对最优掺杂比下的 P 型 a-Si：H 薄膜进行了真空退火处理，以研究薄膜晶体结构的改变对其光/电学性能的影响。结果表明：随着硼掺杂比的增加，P 型 a-Si：H 薄膜的非晶结构没有实质改变，但其光学带隙及电学性能均有明显变化，总结出最佳硼掺杂比为 1.0%。经真空退火处理后，P 型 a-Si：H薄膜的有序程度明显提高，光学带隙从 1.81eV 降低到 1.72eV，电导率提高 3 个数量级。薄膜的晶体结构比硼掺杂量对薄膜电学性能的改善更为显著。