단결정 β-Ga₂O₃ 반도체를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작

본 연구에서는 최근 차세대 전력 반도체로 관심을 받고 있는 단결정 β-Ga₂O₃를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작 및 특성 분석을 수행하였다. 쇼트키 배리어 다이오드는 Sn으로 도핑된 2 μm 두께의 저농도 N 타입 에피층 상에 Pt/Ti/Au 쇼트키 접합으로 제작되었으며 측정된 특성은 > 180 V의 항복전압, 1.26 mΩ · cm2의 온 저항, 그리고 1 V의 순 방향 전압에서 77 A/㎠, 1.5 V에서 473 A/㎠의 순방향 전류 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 단결정 β-Ga₂O₃의 전력반도체 활용 가능성을 확인 할 수 있었다.