Dispositif à semi-conducteurs au carbure de silicium

Le dispositif semi-conducteur au carbure de silicium selon l'invention a un element de commutation de gâchette en tranchee comprenant : un substrat (1), une couche de derive (2) et une zone de base (3) empiles dans cet ordre ; une zone de source (4) et une zone de contact (5) dans des parties superieures de la zone de base (3) ; une tranchee (6) s'etendant depuis la zone de source (4) pour penetrer la zone de base (3) ; une electrode de gâchette (9) sur une pellicule isolante de gâchette (8) dans la tranchee (6) ; une electrode de source (11) couplee a la zone de source (4) et a la zone et de base (3) ; une electrode de drain (13) sur l'arriere du substrat (1) ; et plusieurs couches profondes (10) dans une partie superieure de la couche de derive (2) disposees plus profondement que la tranchee (6) et s'etendant dans une direction qui croise la direction longitudinale de la tranchee. Tout ou partie d'une des couches profondes (10) est separee de la tranchee (6).