溶胶-凝胶法制备Mg02.Zn0.8O阻变薄膜的研究

采用溶胶-凝胶工艺在氧化铟锡（ITO）玻璃衬底上制备Mg02.Zn0.8O阻变薄膜，研究了退火温度和薄膜层数对Mg02.Zn0.8O薄膜生长行为、漏电流性能的影响。研究发现，Mg02.Zn0.8O薄膜是多晶态结晶结构，薄膜的（100）、（002）和（101）晶面所对应衍射峰的强度随镀制薄膜层数的增多和退火温度的升高明显增强。结果表明，随退火温度的升高，高阻态（HRS）和低阻态（LRS）的漏电流减小；然而，HRS时薄膜的漏电流却随Mg02.Zn0.8O薄膜层数的增多而变大。退火温度和薄膜厚度改变Mg02.Zn0.8O阻变薄膜中氧空穴和缺陷的数量，进而影响Mg02.Zn0.8O薄膜的漏电流。