Análisis teórico y experimental de los efectos de captura y escape de portadores en láseres de pozo cuántico

En esta memoria se presentan medidas experimentales de impedancia y respuesta en modulacion en pequena senal de laseres de semiconductor de pozo cuantico basados en GaAs. A partir de las medidas de impedancia por debajo de umbral se ha extraido informacion de parametros tales como la resistencia dinamica diferencial del diodo, el tiempo efectivo de recombinacion de portadores en el pozo, el tiempo de escape y/o el tiempo de captura de los portadores en los pozos cuanticos. Se han analizado diferentes muestras variando determinados parametros estructurales tales como la composicion de indio en el pozo, el nivel de dopado en la zona activa, las dimensiones de los dispositivos, etc., asi como con el nivel de inyeccion de corriente y la temperatura. Asimismo se ha desarrollado un modelo teorico simple para calcular el tiempo de escape de los portadores en este tipo de laseres. Este modelo usa estadistica de Fermi-Dirac y tiene en cuenta fenomenos de segundo orden, tales como la renormalizacion de la banda prohibida y la curvatura de bandas. Este modelo se ha cotejado con otros modelos ya existentes (emision termoionica y teoria de interaccion con fonones longitudinales-opticos). Finalmente se han comparado los resultados experimentales sobre el tiempo de escape obtenidos en las diferentes muestras con los resultados teoricos calculados con el modelo citado anteriormente.