Film adhésif, boîtier de semi-conducteur utilisant un film adhésif et son procédé de fabrication

L'objectif de la presente invention est de pourvoir : a un film adhesif dans lequel l'apparition de vides peut etre reduite meme s'il est durci en une courte duree a une haute temperature au cours d'une stratification d'etages multiples d'une puce de semi-conducteur ; a un boitier de semi-conducteur qui utilise ce film adhesif ; et a un procede de fabrication du boitier de semi-conducteur. Ce film adhesif contient une resine epoxy (A), un agent de durcissement de resine epoxy (B), une resine phenoxy (C) et une charge de silice (D), et est caracterise en ce que : la teneur de la charge de silice (D) est de 30 a 70 % en masse par rapport a la teneur totale de la resine epoxy (A), de l'agent de durcissement de resine epoxy (B), de la resine phenoxy (C) et de la charge de silice (D) ; le film adhesif possede une viscosite a l'etat fondu minimale dans la plage de 200 a 10000 Pa·s dans une plage de temperature allant de 120 °C (exclus) a 180 °C (inclus) s'il est chauffe a partir de la temperature ambiante a une vitesse de chauffage de 5 °C/minute ; et le temps de prise en gel a 180 °C par la methode de la plaque chauffante selon la norme JIS K6911 est de 1 a 200 secondes.