Procede de fabrication d'un transistor asymetrique

L'invention concerne un procede de fabrication d'un transistor a effet de champ a grille isolee, a drain faiblement dope. Dans un mode de realisation, ledit procede consiste a prevoir un substrat semi-conducteur comprenant un isolant de grille (104) et une electrode de grille (106) presentant des premiere et seconde parois opposees (103, 105) definissant la longueur de l'electrode de grille et une surface superieure. Les zones de la source et du drain legerement dopees sont implantees dans le substrat semi-conducteur et sont sensiblement alignees avec les parois laterales de l'electrode de grille. Apres l'implantation des zones faiblement dopees, des premier et second espaceurs 112, 114) sont formes en position adjacente aux premiere et seconde parois laterales de l'electrode de grille, apres quoi une partie de l'electrode de grille est enlevee de sorte qu'une troisieme paroi (117) de l'electrode de grille soit formee a l'opposee de la seconde paroi laterale (105), ce qui permet d'eliminer la premiere paroi laterale et de reduire la longueur de l'electrode de grille. Apres l'enlevement du premier espaceur, les zones du drain et de la source fortement dopees sont implantees dans le substrat semi-conducteur. La zone du drain fortement dopee est sensiblement alignee avec le bord exterieur du second espaceur, une partie de la zone du drain faiblement dopee etant protegee au-dessous du second espaceur, la zone de la source fortement dopee etant sensiblement alignee avec la troisieme paroi laterale. Dans un autre mode de realisation, la zone du drain fortement dopee est implantee apres la formation des espaceurs mais avant la formation de la troisieme paroi laterale et la zone de la source fortement dopee est implantee apres la formation de la troisieme paroi laterale.